QPD1025L Eingangs-abgestimmte HF-Transistoren

Qorvo QPD1025L Eingangs-abgestimmte HF-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs (High Electron Mobility Transistors), die über einen Betriebsfrequenzbereich von 1,0 GHz bis 1,1 GHz verfügen. Diese Transistoren bieten eine lineare Verstärkung von 22,9 dB, eine Ausgangsleistung von 1.800 W, eine Betriebsspannung von 65 V und unterstützen einen Impuls- sowie CW-Betrieb. Die QPD1025L Transistoren sind in branchenüblichen Luftraum-Gehäusen erhältlich und eignen sich hervorragend für IFF-Transponder, Avionik, Test- und Messgeräte.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Vgs - Gate-Source-Spannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN 13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W