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NVH4L060N065SC1

Name: onsemi NVH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L060N065SC1
Price: 11.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH4L060N065SC1

Herst.- Nr.:

NVH4L060N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Datenblatt:

NVH4L060N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 11.89	CHF 11.89
	CHF 9.51	CHF 95.10
	CHF 7.72	CHF 926.40
	CHF 7.69	CHF 3'921.90
	CHF 7.66	CHF 7'813.20
2'520	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	47 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	74 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	176 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	NVH4L060N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NVH4L060N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVH4L060N065SC1 Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs bieten im Vergleich mit Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der NVH4L060N065SC1 von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus, und die kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine kleinere Systemgröße.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).