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IGOT65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGOT65R055D2AUMA
Price: 5.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGOT65R055D2AUMA

Herst.- Nr.:

IGOT65R055D2AUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGOT65R055D2AUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 4.09	CHF 40.90
	CHF 3.31	CHF 331.00
	CHF 2.94	CHF 1'470.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	CHF 2.52	CHF 2'016.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	66 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	6.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Power Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	GaN Power Transistor

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Datenblatt

IGOT65R055D2AUMA1 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Die 650V-Leistungstransistoren CoolGaN ™ der 2. Generation von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente GaN-Transistortechnologie (Galliumnitrid) für die Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich von bis zu 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Mode-Konzept mit hohen Stückzahlen in der End-to-End-Produktion zur Marktreife. Diese bahnbrechende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet das zuverlässigste Betriebsverhalten. Die Leistungstransistoren CoolGaN™ der 2. Generation mit 650 V verbessern im Enhancement-Modus den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte durch ultraschnelles Schalten.

CoolGan™ 600 V E-Modus-Leistungstransistoren

Die CoolGan™ 600V E-Modus-Leistungstransistoren (Enhancement Mode, e-mode) von Infineon Technologies ermöglichen einfachere Halbbrücken-Topologien mit schnellen Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten. Die robusten und zuverlässigen Transistoren sind in hochleistungsfähigen SMD-Gehäusen erhältlich, um die GaN-Vorteile voll auszuschöpfen. Die Transistoren zeichnen sich durch einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte, eine höhere Betriebsfrequenz sowie eine reduzierte EMI aus. Zu den Applikationen gehören Telekommunikations-/Datenkommunikations-/Server-SNT, drahtloses Laden, Ladegeräte und Adapter.