GaNEXUS™ GaN-FETs

Die GaNEXUS™ Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren (GaN FETs) von onsemi nutzen die Wide-Bandgap-Materialeigenschaften von GaN, um schnelles Schalten, niedrige Gate- und Ausgangsladung und einen verbesserten Wirkungsgrad im Vergleich zu Silizium-Leistungstransistoren zu erzielen. Diese Eigenschaften ermöglichen höhere Betriebsfrequenzen, eine erhöhte Leistungsdichte und eine reduzierte Magnetik in Leistungsumwandlungs-Applikationen im Nieder-, Mittel-, Hoch- und Höchstspannungsbereich. Die diskreten Enhancement-Mode-GaN-Transistoren (High-Electron-Mobility Transistors, HEMTs) bieten einen Spannungsbereich von 40 V bis 650 V, einschließlich 650-V-GaNEXUS-Smart-GaN-FETs mit integrierten Schutzfunktionen zur Verbesserung der Zuverlässigkeit und Vereinfachung der Systemintegration. Ideale Applikationen für die GaNEXUS-Produktfamilie von onsemi sind Industrieautomatisierung, Robotik, KI-Rechenzentren, Fahrzeugelektrifizierung und Energieinfrastruktur.