SCT3x SiC-Trench-MOSFETs der 3. Generation

Die SiC-Trench-MOSFETs der SCT3x-Baureihe von ROHM Semiconductor nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den ON-Widerstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Dies führt zu deutlich niedrigeren Schaltverlusten und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten und verbessert den Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Reduzierung der Verlustleistung in einer Vielzahl von Geräten. Das Produktsortiment umfasst 650-V- und 1.200-V-Varianten für eine breite Anwendbarkeit.