QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren

Qorvo  QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren sind diskrete -Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-HEMT (High-Electron-Mobility Transistoren), die von 1,2 GHz bis 1,4 GHz betrieben werden. Diese Bauteile bieten eine gesättigte Ausgangsleistung von 59 dBm mit einer großen Signalverstärkung von 18 dB und einem Drain-Wirkungsgrad von 70 %. Die QPD1028 und QPD1028L Transistoren sind intern für eine optimale Leistung vorabgestimmt und können sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe unterstützen.