Qorvo UF3SC Hochleistungs-SiC-FETs in D2-PAK

Qorvo UF3SC Hochleistungs-SiC-FETs in D2-PAK-7L (7-poliges Kelvin-Gehäuse) basieren auf einer einzigartigen „Kaskoden“-Schaltungskonfiguration und zeichnen sich durch eine hervorragende Sperrverzögerung aus. Diese  Schaltung enthält ein im Normalzustand leitendes SiC JFET, das zusammen mit einem Si MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC FET Bauelement zu erzeugen. Die UF3SC-FETs verfügen über Standard-Gate-Treibereigenschaften, die einen echten “Drop-in Ersatz” für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Super-Junction-Bauelemente ermöglichen. Diese Hochleistungs-SiC-FETs arbeiten bei einer maximalen Temperatur von 175°C, einer niedrigen Gate-Ladung von 43nC und einer typischen Schwellenspannung von 5 V. Typische Applikationen sind  Telekommunikations- und Serverstromversorgung, Motorantriebe, Induktionserwärmung und industrielle Stromversorgungen.