XBee™ 2- und 3-IGBT-Module

Infineon Technologies XHP™ 2- und 3-IGBT-Module sind für Hochleistungsapplikationen im Bereich von 1,7 kV bis 6,5 kV ausgelegt. Die Module von Infineon eignen sich hervorragend für anspruchsvolle Applikationen wie Traktion, CAV und Mittelspannungsantriebe. Die Bauteile bieten ein skalierbares Design, erstklassige Zuverlässigkeit und die höchste Leistungsdichte.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datenblatt
13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datenblatt
19Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray