XBee™ 2- und 3-IGBT-Module

Die IGBT-Module XHP™ 2 und 3 von Infineon Technologies sind für Applikationen konzipiert und reichen von 1,7 kV bis 6,5 kV. Die Infineon Module eignen sich ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie Traktion, CAV und Laufwerke. Die Bauteile bieten ein skalierbares Design, erstklassige Zuverlässigkeit und die höchste Leistungsdichte.

Ergebnisse: 6
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datenblatt
13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datenblatt
19Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray