Infineon Technologies XHP™ 2 1700 V IGBT-Module

Infineon Technologies XHP™ 2 1700 V IGBT-Module sind Hochleistungsbauteile, die auf einer skalierbaren Plattform basieren und für anspruchsvolle Hochleistungssysteme optimiert sind. Das XHP 2-Gehäuse umfasst ein Mehrfachgehäuse mit niedriger Induktivität, das parasitäre Induktivität minimiert und ein sauberes Schaltverhalten ermöglicht. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, Spannungsüberschwingung und Schaltverluste in Hochstromapplikationen zu reduzieren. Zusammen mit fortschrittlichen TRENCHSTOP™ IGBT-Technologien undXT-Zusammenschaltung, liefern diese Module eine hohe Stromdichte, niedrige Sättigungsspannung und robuste Lastwechselfestigkeit, um einen zuverlässigen Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen bis zu +175 °C zu unterstützen. Die hohe Leistungsdichte und ein skalierbares mechanisches Design ermöglichen eine konsistente Integration über verschiedene Wandlerplattformen hinweg und erhalten gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad und eine lange Lebensdauer aufrecht.

Merkmale

  • XHP2 Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT8 und Emitter-gesteuerter Diode und NTC
  • Niedrige Schaltverluste
  • Hohe Stromdichte
  • Design mit niedriger Induktivität
  • Hohe Kriech- und Luftstrecke
  • Hohe Leistung und thermische Lastwechselfestigkeit
  • Hohe Leistungsdichte
  • Gehäuse mit CTI > 600
  • Qualifiziert für Industrieapplikationen gemäß IEC 60747, 60749 und 60068
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Hochleistungswandler
  • Windturbinen
  • Motorantriebe
  • Traktionsanwendungen

Technische Daten

  • Maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V
  • 1.400 AA oder 2.000 AA Kollektorstrom
  • maximale Gate-Emitter-Spitzenspannung von ±20 V
  • Maximaler Leistungsverlust von 1400 kW oder 2200 kW
  • Isolationstestspannung von 4,0 kV
  • Typische Streuinduktivität des Moduls von 10nH
  • Typische Hauptemitterinduktivität 1 von 1,5 nH
  • Typische Hauptemitterinduktivität 2 von 3,5 nH
  • Typischer Widerstandsbereich der Modulanschlüsse von 0,27 mΩ bis 0,41 mΩ
  • Drehmomentbereich für Modulmontage von 3 Nm bis 6 Nm
  • Anschlussdrehmoment
    • 0,9 Nm bis 1,1 Nm für M3-Schrauben
    • 8 Nm bis 10 Nm für M8-Schrauben
  • Material der CU-Modul-Basisplatte
  • Maximale Betriebstemperatur der Basisplatte von +150 °C

Schaltplan

Applikations-Schaltungsdiagramm - Infineon Technologies XHP™ 2 1700 V IGBT-Module
Veröffentlichungsdatum: 2026-05-12 | Aktualisiert: 2026-05-22