MXP120A MaxSiC™ 1.200-V-N-Kanal-MOSFETs

MXP120A MaxSiC™ 1.200-V-N-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors bieten 1.200 V Drain-Source-Spannung, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und 3 μs Kurzschlussfestigkeitzeit. Diese MOSFETs bieten zudem 139 W bis 227 W maximale Verlustleistung (Tc= 2,5 °C) und 29 A bis 49 A Dauersenkenstrom (Tc= 2,5 °C). Die MXP120A MaxSiC™ 1.200-V- N-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in den Gehäusen TO-247 3 L oder TO-247 4 L erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern verwendet.

Ergebnisse: 5
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
Datenblatt
2'313Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC