MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs

MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 3 μs aus. Diese MOSFETs bieten außerdem einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 268 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 52 A (Tc = 25 °C). Die MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in den Gehäusen TO-247 3 L, TO-247 4 L und TO-263 7 L erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 12.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
799erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
599erwartet ab 16.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
799erwartet ab 16.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
599erwartet ab 16.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
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SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
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Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 16.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement