SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs verstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Gate-Ladung, Design-Flexibilität und Zuverlässigkeit. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs der Baureihe SICW0x haben einen typischen breiten On-Widerstandsbereich von 21 mΩ bis 120 mΩ und eine zuverlässige Leistung. Diese SiC-MOSFETs bieten hervorragende thermische Eigenschaften und eine schnelle intrinsische Diode, um einen reibungslosen, effizienten Betrieb unter schwierigen Bedingungen zu gewährleisten. Die SiC-MOSFETs der Baureihe SICW0x sind in 3-Pin- und 4-Pin-Konfigurationen (Kelvin-Quelle) erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Motorantriebe, Schweißgeräte, Netzteile, erneuerbare Energiesysteme, Ladeinfrastruktur, Cloud-Systeme und unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV).