Rückwärtsleitende (BiMOSFET™) Hochspannungs-IGBTs

IXYS Rückwärtsleitende (BiMOSFET™) IGBTs mit 2.500 V bis 3.600 V der Höchstspannungs-Baureihe kombinieren die Stärke von MOSFETs sowie IGBTs. Diese Hochspannungs-Bauteile eignen sich dank des positiven Temperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlass-Spannungsabfalls ihrer intrinsischen Diode hervorragend für einen parallelgeschalteten Betrieb. Die „freie“ intrinsische Bodydiode erfüllt die Funktion einer Schutzdiode, indem sie einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom während des Abschaltens des Geräts bietet. Dadurch können hohe Ldi/dt-Spannungstransienten und somit Schäden am Gerät verhindert werden.

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Verpackung/Gehäuse
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Datenblatt
448Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Datenblatt
2'787Auf Lager
Min.: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Datenblatt
281Auf Lager
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Datenblatt
224Auf Lager
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Datenblatt
307Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
Datenblatt
334Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Datenblatt
277Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Datenblatt
127Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Datenblatt
8Auf Lager
720erwartet ab 11.03.2026
Min.: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Datenblatt
1'275erwartet ab 22.07.2026
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Datenblatt
300erwartet ab 01.04.2026
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 80 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3