Arten von Transistoren
Angewendete Filter:
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.
Ansicht: 1 - 13 von 13
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04.14.2026
04.14.2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04.06.2026
04.06.2026
Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
04.02.2026
04.02.2026
Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
03.31.2026
03.31.2026
Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
03.27.2026
03.27.2026
Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
03.27.2026
Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
03.17.2026
03.17.2026
Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
03.17.2026
03.17.2026
Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
03.13.2026
03.13.2026
Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
03.09.2026
Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
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