QPD1009 und QPD1010 GaN-HF-Transistoren

Die QPD1009 und QPD1010 GaN-HF-Transistoren von Qorvo sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, welche von DC bis 4 GHz betrieben werden und mithilfe des bewährten QGaN25HV-Prozesses von Qorvo konstruiert wurden. Dieser Prozess verfügt über erweiterte Feldplattentechniken zur Optimierung von Leistung und Wirkungsgrad bei Vorspannungs-Betriebsbedingungen mit hohem Drain. Diese Optimierung kann potenziell die Systemkosten in Bezug auf weniger Verstärkerreihen und niedrigere Wärmemanagementkosten senken.