GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs

Die GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs von ROHM Semiconductor sind für leistungsstarke Leistungsumwandlungapplikationen ausgelegt. Diese Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMTs) verfügen über eine hohe Durchschlagspannung und eine geringe elektrische Ladung im GATE. Die GNP2x GaN-HEMTs bieten einen hohenWirkungsgrad, eine Hochleistungsdichte und schnelle Umschaltfähigkeiten. Diese GaN-HEMTs verfügen über eine transiente Gate-Source-Spannung von 8,5 V und arbeiten im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C.  Typische Applikationen umfassen Wandler mit hoher Schaltfrequenz und hoher Dichte.