Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SICW080N120Y-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120Y-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW080N120Y-BP
Price: 15.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

833-SICW080N120Y-BP

Herst.- Nr.:

SICW080N120Y-BP

Herst.:

Micro Commercial Components (MCC)

Beschreibung:

SiC-MOSFETs

Datenblatt:

SICW080N120Y-BP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120Y-BP

Auf Lager: 1'737

Lagerbestand:: 1'737 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 24 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 1737 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 15.89	CHF 15.89
	CHF 13.07	CHF 130.70
	CHF 11.31	CHF 1'131.00
	CHF 11.30	CHF 5'650.00
	CHF 10.50	CHF 10'500.00
1'800	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	41 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	220 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Micro Commercial Components (MCC)
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	SICW080N120Y
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SICW080N120Y-BP Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SiC N-Channel MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) 1200V SiC N-Channel MOSFET is designed for high switching frequency and high blocking voltage with low on-resistance and avalanche capability. This MOSFET operates within a gate-source voltage of -4V to 18V and performs optimally at 18V. The 1200V n-channel MOSFET at operates on a temperature range of -55°C to 175°C and thermal resistance of 0.68°C /W junction to case. This MOSFET is halogen-free, lead-free/RoHS compliant, and includes epoxy with a flammability rating of UL 94 V-0. The applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, battery chargers, and motor drivers. SICW080N120Y-BP