RN-Automotive-Vorspannungswiderstand für ingebaute Transistoren

RN-Automotive-Vorspannungswiderstände mit eingebauten Transistoren (BRT) von Toshiba sind AEC-Q101-qualifiziert und für Schalt-, Wechselrichter-, Schnittstellen- und Treiberschaltungsautomotive optimiert. Der Vorspannungswiderstand ist integriert, wodurch die Anzahl der erforderlichen externen Teile reduziert und die Systemgröße und Bestückungszeit reduziert werden. Die RN-Automotive-Vorspannungswiderstände (BRTs) von Toshiba bieten einen breiten Widerstandsbereich zur Anpassung an verschiedene Schaltungsdesigns.

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Menge RoHS
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
Datenblatt
6'583Auf Lager
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Rolle: 8'000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
Datenblatt
4'802Auf Lager
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Rolle: 3'000

Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323
Datenblatt
9'000erwartet ab 02.03.2026
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Rolle: 3'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Datenblatt
5'990erwartet ab 23.02.2026
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Rolle: 3'000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
Datenblatt
5'998erwartet ab 03.07.2026
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Rolle: 3'000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
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Rolle: 3'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Datenblatt
Nicht auf Lager
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Rolle: 8'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
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Rolle: 3'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Datenblatt
Nicht auf Lager
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Rolle: 3'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Datenblatt
N/A
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Rolle: 3'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
Datenblatt
N/A
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Rolle: 4'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
Datenblatt
N/A
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Rolle: 4'000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10kOhm, Q2BSR=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
Datenblatt
Nicht auf Lager
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Rolle: 4'000