NTHL022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die NTHL022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von onsemi sind eine Produktfamilie von 1.200-V-M3S-Planar-SiC-MOSFETs, die für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert ist. Der NTHL022N120M3S von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungs-Drives und Ausschaltspitzen auf dem Gate arbeiten. Diese MOSFETs bieten eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem 18-V- Gate-Drive, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive.

Ergebnisse: 3
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Datenblatt
323Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Datenblatt
682Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Datenblatt
590Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC