CoolSiC™-1200-V-SiC-Trench-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauteils erhöhen. Die CoolSiC-1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für den Betrieb bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.

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Transistorpolung
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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651Auf Lager
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Rolle: 1'000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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959Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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603Auf Lager
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MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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663Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel


Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1'301Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
1'007Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
416Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
176Auf Lager
240erwartet ab 26.02.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
294Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
1'180Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
1'004Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
840Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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164Auf Lager
720Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
255Auf Lager
240erwartet ab 13.08.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
422Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
68Auf Lager
240erwartet ab 16.02.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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173Auf Lager
960erwartet ab 07.05.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
159Auf Lager
240erwartet ab 12.02.2026
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
80Auf Lager
480erwartet ab 05.08.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Datenblatt
421Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
201Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
2'878Auf Bestellung
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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446erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel