Infineon Technologies CoolSiC™ 1200 V SiC-Trench-MOSFETs
Infineon Technologies CoolSiC ™ 1200 V-SiC-Trench-MOSFETs kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauteils erhöhen. Die CoolSiC 1200 V SiC-Trench-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste des in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb des optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für den Betrieb bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.
Die CoolSiC™ 1200 V SiC-Trench-MOSFETs werden in kompakten TO-247-3- und TO-247-4-Gehäusen angeboten. Das TO-247-4-Gehäuse enthält eine zusätzliche Verbindung zur Quelle (Kelvin-Verbindung), die als Referenzpotenzial für die Gate-Treiberspannung verwendet wird, wodurch die Auswirkungen von Spannungsabfällen auf die Quelleninduktivität eliminiert werden. Das Ergebnis sind noch geringere Schaltverluste als bei der TO-247-3-Version, insbesondere bei höheren Strömen und höheren Schaltfrequenzen.
Merkmale
- Sehr niedrige Schaltverluste
- Einschaltzustands-Eigenschaften ohne Schwellenwert
- Großer Gate-Source-Spannungsbereich
- Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS (th) = 4,5 V
- 0 V Ausschalt-Gate-Spannung
- Vollständig steuerbarer dV/dt
- Robuste Kommutierungs-Bodydiode, bereit für die Synchrongleichrichtung
- Temperaturunabhängige Schaltverluste beim Abschalten
- Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
- Klassenbeste Schalt- und Leitungsverluste
- IGBT-kompatibler Antrieb (+15 V)
- Schwellwertspannung, Vth > 4V
- Kurzschlussfestigkeit
- Höchster Wirkungsgrad für reduzierten Kühlaufwand
- Höhere Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer
- Betrieb mit höherer Frequenz
- Reduzierung der Systemkosten
- Größere Leistungsdichte
- Geringere Systemkomplexität
- Einfaches Design und einfache Implementierung
Applikationen
- Photovoltaik-Wechselrichter (PV)
- Energiespeicherung und Batterieladung
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Schaltnetzteile (SNT)
- Industrieantriebe
- Medizintechnik
Development Tools
Infineon Technologies REF-DAB11KIZSICSYS Wandlerboard
Eine DC/DC-Stufe mit einem großen Ausgangsbereich mit 2 Induktivitäten und 2 Kondensatoren(CLLC)-Resonanznetzwerk.
Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC und REF_SiC_D2Pak_BP Boards
Ermöglichen Benutzern die Evaluierung des 1.200-V-CoolSiC™-MOSFETS im D2Pak-Gehäuse mit isolierten Gate-Treibern ohne Core.
Infineon Technologies REF-DR3KIMBGSICMA Referenzboard
Enthält zwei PCBs, einschließlich einer Treiberschaltung und einem Dreiphasen-Wechselrichter für Motorantriebs-Applikationen.
Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 1200 V Evaluierungsplattform
Demonstriert die 45 m Ω CoolSiC ™ 1200 V SiC Trench MOSFETs und EiceDriver ™ GATE-Treiber ICs.
Infineon Technologies EVAL-M5-IMZ120R-SIC Motorantriebs-Evaluierungsboard
Evaluierungsboard für Motorantriebs-Applikationen basierend auf den 1.200-V-CoolSiC™-MOSFETs.
Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1EDI30xxAS Evaluierungsboard
Demonstrationsplattform für die 1EDI302xAS und 1EDI303xAS isolierten EiceDRIVER™ Gate-Treiber.
Infineon Technologies REF-1EDC60H12AHDPV2 Funktionsboard für bipolare Versorgung
Das Funktionsboard für bipolare Versorgung ist das zweite Antriebsboard der universellen Evaluierungsplattform.
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