650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Die 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation von Toshiba sind für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC- Eingang und AC-DC-Netzteile, Photovoltaik-Umrichter (PV) und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) ausgelegt.  Diese MOSFETs von Toshiba tragen aufgrund der SiC-Technologie zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Leistungsdichte bei. Diese Technologie ermöglicht höhere Spannungen, schnellere Schaltvorgänge und einen geringeren On-Widerstand. Das Design bietet eine bessere Zuverlässigkeit zusätzlich zu einer niedrigen Eingangskapazität, einem gemeinsamen Gate-Eingangsladung und einem Drain-Source-Einschaltwiderstand von nur 15 mΩ.

Ergebnisse: 24
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
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2’500Auf Lager
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: 2’500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
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2’480Auf Lager
Min.: 1
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: 2’500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
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2’493Auf Lager
Min.: 1
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: 2’500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
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2’500Auf Lager
Min.: 1
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: 2’500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
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50Auf Lager
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Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
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31Auf Lager
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Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
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49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
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142Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
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67Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
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35Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
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111Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
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52Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
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214Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
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36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
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61Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
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30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
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4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
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15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
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25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
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40Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
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20erwartet ab 22.06.2026
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
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176erwartet ab 17.07.2026
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
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Nicht auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement