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GANB4R8-040CBAZ

Name: Nexperia GANB4R8-040CBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANB4R8-040CBAZ
Price: 2.35 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-GANB4R8-040CBAZ

Herst.- Nr.:

GANB4R8-040CBAZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

GANB4R8-040CBAZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.35	CHF 2.35
	CHF 1.53	CHF 15.30
	CHF 1.49	CHF 74.50
	CHF 1.06	CHF 106.00
	CHF 0.875	CHF 437.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.851	CHF 2'127.50
	CHF 0.738	CHF 3'690.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WLCSP-22
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 6 V
Qg - Gate-Ladung:	15.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Artikel # Aliases:	934667630341

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET

Beim GANB4R8-040CBA bidirektionalen GaN FET von Nexperia handelt es sich um einen 40 V, 4,8 mΩ bidirektionalen Galliumnitrid (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). Der GANB4R8-040CBA ist ein normalerweise ausgeschalteter Emode-FET, der eine hervorragende Leistung bietet. Der GANB4R8-040CBA von Nexperia ist in einem Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP) erhältlich.