NAND-Flash

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung

ISSI NAND-Flash 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8 bit 2.7 V 3.6 V 50 uA - 40 C + 85 C Tray

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND-Flash 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND-Flash 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C
Alliance Memory NAND-Flash SLC Parallel NAND-Flash, 8Gb, x8, 1.8V, 4bit ECC, 45ns, 63b FBGA, Industrial Grade
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel 8 G x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory AS5F32G04SNDB-08LIN
Alliance Memory NAND-Flash Serial SLC NAND-Flash, 2Gb, 3V, 120Mhz, Multiple IO, 4bit ECC, Industrial, 8pin LGA (8x6), revB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT LGA-8 2 Gbit Quad SPI 256 M x 8 Synchronous 8 bit 3 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray