Neueste MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

onsemi NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.04.2025

- Ideal für platzbeschränkte Designs, bei denen Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05.13.2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04.28.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04.28.2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04.28.2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 154 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET

04.17.2025

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04.17.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 469 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi Maschinelles Sehen

03.18.2025

- Eine breite Palette von Bildsensorlösungen, von VGA bis 45MP, für die Anforderungen der industriellen Bildverarbeitung.

onsemi NTTFD1D8N02P1E n-Kanal-MOSFET

03.05.2025

- Asymmetrisches Dual-Bauteil, das in einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm für ein kompaktes Design angeboten wird.

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Filtern nach:

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

10.31.2025

- Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

10.31.2025

- Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET

10.21.2025

- Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10.17.2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-Leistungs-MOSFETs

10.02.2025

- Bietet maßgeschneiderte Lösungen für eine effiziente Leistungsumwandlung in Antrieben, Elektro- und Gartengeräten.

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

09.30.2025

- Hochleistungs-N-Kanal -Transistoren für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsanwendungen.

Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

09.29.2025

- Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

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