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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter
08.20.2026
08.20.2026
Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
Ansicht: 1 - 25 von 218
Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.
Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
Multimedia development board for smart audio and HMI applications.
NXP Semiconductors KITFS0400SKTEVM Evaluation Board
08.25.2026
08.25.2026
Socketed FS04 evaluation board with FRDM-KL25Z bridge and OTP programming support.
Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate Drivers
08.25.2026
08.25.2026
Designed to enable gallium nitride (GaN) and silicon (Si) power designs on the same PCB.
Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)
08.25.2026
08.25.2026
These devices are high-performance storage solutions built on the PCIe Gen 4x4 NVMe 1.4 interface.
NXP Semiconductors KITFS0400A0EVM Evaluation Board
08.25.2026
08.25.2026
Soldered FS04 evaluation board with PF53 PMICs, FRDM-KL25Z bridge, and NXP GUI support.
NXP Semiconductors FRDM-A-S32K358 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
For general-purpose industrial and automotive applications built around the S32K358 MCU.
Texas Instruments ISOTMP35R/-Q1 Analog Temperature Sensors
08.24.2026
08.24.2026
Reinforced isolated analog temperature sensors with fast thermal response.
Toshiba DCL32xx00 Low Power Dual Channel Digital Isolators
08.24.2026
08.24.2026
These devices comply with UL 1577 and have a 3000Vrms withstand-isolation-voltage rating.
Toshiba TCKE1401NM 75V 6A eFuse IC
08.24.2026
08.24.2026
A high-input voltage single-input single-output eFuse IC that can be used as a reusable fuse.
Infineon Technologies XENSIV™ TLE49012 / TLI49012 Magnetische Winkel- Sensoren
08.20.2026
08.20.2026
Hochpräzise digitale Winkel-Sensoren mit extrem niedriger Latenz sowie Fähigkeiten auf und außerhalb der Achse.
ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter
08.20.2026
08.20.2026
Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.
Renesas Electronics PTX205R NFC Controller
08.20.2026
08.20.2026
Highly integrated, mid-power NFC controller for NFC Forum applications.
Toshiba TXZ+™ TMPM4L Arm® Cortex®-M4 MCUs
08.19.2026
08.19.2026
Integrates dedicated hardware and security functions for single-motor control applications.
Power Integrations RDK-994Q Reference Design Kit
08.19.2026
08.19.2026
35W ultra-low-profile traction inverter gate-drive or emergency power supply.
STMicroelectronics IPS1270H Single-Channel High-Side Switch
08.19.2026
08.19.2026
Monolithic device intended for driving any load with one side connected to ground.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM
08.19.2026
08.19.2026
This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.
Vishay VOM1272 Optisch Isolierter MOSFET-Treiber
08.18.2026
08.18.2026
Eigenständiger Photovoltaik-MOSFET-Treiber mit schneller Abschaltfunktion und Isolierungskapazität.
Nordic Semiconductor nRF93M1 Development Kit (DK)
08.17.2026
08.17.2026
Provides a fast way to evaluate and build on the nRF93M1 module.
Diotec Semiconductor LDI1117-3.3H-AQ Low-Dropout Voltage Regulator
08.17.2026
08.17.2026
Operates at a low dropout voltage of 1.2V at 1A output current and a fixed voltage of 3.3V.
M5Stack AddOn Display Out Module for PoE-P4
08.17.2026
08.17.2026
Display output expansion module designed for Unit PoE-P4, based on the LT8912B chip.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08.17.2026
08.17.2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
M5Stack Capsule v1.1
08.17.2026
08.17.2026
Iterative upgrade of capsule, with the core upgrade being the replacement of the main controller.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08.17.2026
08.17.2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor MMTL431A-AQ Diode Shunt Regulator
08.14.2026
08.14.2026
Features temperature-compensated and low output impedance in a UL 94V-0 case material.
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