Arten von diskreten Halbleitern
Angewendete Filter:
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.06.2025
08.06.2025
Dieser MOSFET ist ein Fahrzeug-Leistungs-MOSFET, der über die AEC-Q101-Qualifikation verfügt.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1,5 A 160 V Leistungstransistor
08.06.2025
08.06.2025
Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor
08.06.2025
08.06.2025
Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.
ROHM Semiconductor PBZLx Zener-Dioden
08.04.2025
08.04.2025
Entwickelt für Spannungsregelungsanwendungen und verfügt einen maximalen Leistungsverlust von 1000 mW.
ROHM Semiconductor RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden
08.04.2025
08.04.2025
Entwickelt für den Einsatz in Schaltnetzteilen und verfügt über Durchlassstoßstrom von 100 A.
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET
08.04.2025
08.04.2025
MOSFET in Automobilqualität mit AEC-Q101-Qualifizierung in einem HSMT8AG-Gehäuse.
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs
07.22.2025
07.22.2025
AEC-Q101-qualifizierte Automobilstandard-MOSFETs für FAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.
ROHM Semiconductor RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode
07.22.2025
07.22.2025
Bietet eine niedrige Durchlassspannung und niedrige Schaltverluste in einem DO-214AA-Gehäuse.
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Diotec Semiconductor BZX84B20-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Features 20V nominal Zener voltage, 0.050µA leakage current, and 55Ω dynamic resistance.
Diotec Semiconductor MMS3Z18BGW-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Housed in a compact SOD‑323 surface‑mount package, providing a 300mW power dissipation.
Diotec Semiconductor BZX84B4V3-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Features 4.3V nominal Zener voltage with ±2% tolerance and 3μA leakage current at 1V.
Diotec Semiconductor MM5Z6V8B-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Housed in an ultra‑small SOD‑523 surface‑mount package and AEC‑Q101 qualified.
Diotec Semiconductor TPSMA6L20A-AQ TVS Diode
03.06.2026
03.06.2026
AEC‑Q101 qualified unidirectional diode built in compact SMAF (DO‑221AC) low‑profile package.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Diotec Semiconductor MM3Z3V0-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Offers a 300mW power dissipation rating and comes in a compact SOD‑323F surface‑mount package.
Diotec Semiconductor SIT04C065 SiC Schottky Diode
03.06.2026
03.06.2026
Supports a 650V repetitive peak reverse voltage and delivers a 4A average forward rectified current.
Littelfuse Sx4340L TVS-Diodenarrays
03.05.2026
03.05.2026
Bietet eine extrem niedrige Kapazität von 0,55 pF in einem platzsparenden SOD882-Gehäuse.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier
03.03.2026
03.03.2026
Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.
Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode
03.03.2026
03.03.2026
Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.
Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier
03.03.2026
03.03.2026
Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.
Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode
03.03.2026
03.03.2026
Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.
Vishay 3KDFN12CA bis 3KDFN100CA TVS-Dioden
03.02.2026
03.02.2026
Die Transzorb® TVS-Dioden wurden zum Schutz empfindlicher Elektronik vor Spannungsspitzen entwickelt.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Littelfuse SC3402-02ETG ESD-Schutzdiode
02.23.2026
02.23.2026
Eine ESD-Schutzdiode mit extrem niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenschnittstellen entwickelt wurde.
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
02.19.2026
02.19.2026
Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC
02.18.2026
02.18.2026
Bietet Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften.
Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter
02.17.2026
02.17.2026
Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.
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