DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
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Menge RoHS Verpackung/Gehäuse
Frequenz
Frequenzstabilität
Ladekapazität
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Osc., Low Power, 4.032MHz, LVCMOS, -40-105C, 10ppm, 2.5x2.0mm
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CDFN-4 47.0016 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Osc., Low Power, 6.144MHz, LVCMOS, -40-105C, 10ppm, 2.5x2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 47.0016 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Osc., Low Power, 36.864MHz, LVCMOS, -40-105C, 10ppm, 2.5x2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 47.0016 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -20C-70C 50ppm
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DFN-4 27 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -20C-70C 50ppm
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Mult.: 1’000
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DFN-4 27 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -20C-70C 25ppm
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DFN-4 2.048 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm
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DFN-4 64 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm
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DFN-4 64 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Clock Generator -40C-85C 25ppm
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Rolle: 1’000

DFN-4 96 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power 0C-70C 50ppm
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CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA 0 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 10MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
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Rolle: 1’000

CDFN-4 10 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm
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Min.: 1
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CDFN-4 10 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm
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CDFN-4 20 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm
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CDFN-4 24.576 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 50ppm
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Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
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CDFN-4 27 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
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CDFN-4 14.3181 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm
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Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000

CDFN-4 14.3181 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 14.7456 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm
Datenblatt
Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
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CDFN-4 16.384 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power -40C-85C 25ppm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1’000
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CDFN-4 133.333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power 0C-70C 50ppm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
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CDFN-4 8 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA 0 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 32.11MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm
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CDFN-4 32.11 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 133MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000

CDFN-4 133 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS Oscillator Low Power 0C-70C 50ppm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000

CDFN-4 31.25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.9MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
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CDFN-4 3.9 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001