Rauscharme 4G-/5G-Verstärker

Infineon Technologies Rauscharme 4G-/5G-Verstärker sind für LTE und 5G ausgelegt und decken einen großen Frequenzbereich ab. Die Gain-Stufe der rauscharmen 4G-/5G-Verstärker verfügt über die Gain und Linearität, die angepasst werden kann, um den dynamischen Systembereich zu erhöhen und wechselnde Interferenz-Szenarien zu ermöglichen.

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Menge RoHS ECAD Model Betriebsfrequenz
Betriebsversorgungsspannung
Betriebsversorgungsstrom
Verstärkung
NF - Noise Figure (Rauschzahl)
Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Technologie
P1dB - Kompressionspunkt
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept)
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies HF-Verstärker RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Datenblatt
11'542Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 15'000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies HF-Verstärker 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G
Datenblatt
4'500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5'000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies HF-Verstärker RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Datenblatt
7'445Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 12'000

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies HF-Verstärker RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 12'000
Mult.: 12'000
Rolle: 12'000

4.4 GHz to 5 GHz 1.1 V to 2 V 5.6 mA 19 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 19 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel
Infineon Technologies HF-Verstärker RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 12'000
Mult.: 12'000
Rolle: 12'000

3.3 GHz to 4.2 GHz 1.1 V to 2 V 5.8 mA 21 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe - 18 dBm - 7 dBm - 30 C + 85 C Reel