MOSFET HF-Transistoren

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung Technologie Id - Drain-Gleichstrom Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Rds On - Drain-Source-Widerstand Betriebsfrequenz Verstärkung Ausgangsleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

N-Channel Si 36 A 170 V 175 MHz 16 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT SOE-4
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Power Trans N-Channel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 7 A 12.5 V 500 MHz 14.5 dB 25 W + 165 C SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. N-Ch Trans Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. N-Ch Trans Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor Nicht auf Lager
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor Nicht auf Lager
Min.: 120
Mult.: 120
Rolle: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 300
Rolle: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 300
Rolle: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor Nicht auf Lager
Min.: 160
Mult.: 160
Rolle: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Nicht auf Lager
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk


STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel Si 8 A 65 V 60 W - 65 C + 200 C Screw Mount M246 Bulk