EPC2104

EPC
65-EPC2104
EPC2104

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

ECAD Model:
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EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
Die
2 Channel
100 V
30 A
6.8 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.8 nC, 6.8 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Verpackung: Reel
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 2 N-Channel
Typ: Half-Bridge
Gewicht pro Stück: 23 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8541290040