CG2H30070F

MACOM
941-CG2H30070F
CG2H30070F

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

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Produktkategorie: GaN FETs
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RoHS:  
Screw Mount
440224
N-Channel
120 V
12 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 150 C
Marke: MACOM
Entwicklungs-Kit: CG2H30070F-TB1
Verstärkung: 12.4 dB
Maximale Betriebsfrequenz: 4 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 0 Hz
Ausgangsleistung: 70 W
Verpackung: Tray
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück: 10.466 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85412999
ECCN:
3A001.b.3.a.4

CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.