CoolSiC™ 750 V-G1-SiC-Trench-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G1 SiC Trench MOSFETs helfen EV-Herstellern, 11 kW und 22 kW bidirektionale Onboard -Ladegeräte mit erhöhtem Wirkungsgrad, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu entwickeln. Diese Bauteile arbeiten zuverlässig bei hohen Temperaturen (Tj,max +175 °C) und verfügen über die proprietäre Trench-MOSFET-Technologie von Infineon™. XT Plättchen Größe - Technologie für erstklassige thermische Impedanz bei gleicher Plättchengröße.

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Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel