RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG von ROHM Semiconductor   sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistungsgehäuse. Die Leistungs-MOSFETs RJ1G10BBG und RJ1L10BBG haben ein Drain-Source- Spannung von 40 V und 60 V, einen Dauersenkenstrom von ±280 A und ±240 A und ein Verlustleistung von 192 W. Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG sind RoHs-konform. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über eine bleifreie Beschichtung, sind halogenfrei und zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG arbeiten im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen sind Schalter, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET
Datenblatt
560Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.43 mOhms 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET
Datenblatt
640Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 A 1.85 mOhms 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape