L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

Die Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q101 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Drainstrombelastbarkeit und eine hohe Dissipation. Dies wird durch die Kombination von hoch-wärmeleitfähigen Gehäusen [L-TOGL (Large-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen) und S-TOGL (Small-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen)] mit den Chipprozessen U-MOS IX-H und U-MOS XH erreicht. Die L-TOGL- und S-TOGL-MOSFETs von Toshiba bieten außerdem Hochstromfähigkeit und sind für die Leitfähigkeit von hohen Temperaturen ausgelegt, um die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Fahrzeuganwendungen zu verbessern. Das L-TOGL-Gehäuse ist in seiner Größe mit dem vorhandenen TO-220SM(W)-Gehäuse vergleichbar. Allerdings verbessert XPQR3004PB den Nennstrom erheblich und senkt den Einschaltwiderstand auf 0,23 mΩ (typisch). Der optimierte Footprint der L-TOGLs trägt auch dazu bei, die thermischen Eigenschaften im Vergleich zum TO-220SM(W)-Gehäuse in gleicher Größe zu verbessern.