TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs umfassen einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Prozess ausgelegt ist. Die MOSFETs bieten verbesserte Sperrverzögerungseigenschaften, einschließlich einer schnellen Sperrverzögerungszeit von 36 ns und einer typischen Sperrverzögerungsladung von 27 nC. Die TPH1400CQ5-Baureihe reduziert die Verlustleistung in Schaltnetzteilen, was den Wirkungsgrad in Synchrongleichrichtungs-Applikationen erhöht. Die TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs von Toshiba bieten einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand und einen niedrigen Ableitstrom, wodurch sie sich hervorragend für verschiedene Leistungs- und Industrieapplikationen eignen. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler, Motortreiber, Rechenzentren und Kommunikations-Basissysteme.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Toshiba MOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
Datenblatt
9'980Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5'000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 90 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 38 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
Datenblatt
4'995Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5'000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 77 A 14.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape