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G2R1000MT33J-TR

Name: Navitas Semiconductor G2R1000MT33J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-G2R1000MT33J-TR
Price: 14.83 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

905-G2R1000MT33J-TR

Herst.- Nr.:

G2R1000MT33J-TR

Herst.:

GeneSiC Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET

ECAD Model:

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Hersteller:	Navitas Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	G2R
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.