NVMFS6H852N Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
Datenblatt
1’440Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape