SiC IGBT-Module

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
onsemi IGBT-Module PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.77 V 50 A 800 nA 186 W Q0BOOST - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 100 A booster IGBT module
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.35 V 40 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module 2.65 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 100 A booster IGBT module
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.35 V 40 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT-Module MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
Datenblatt
27Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 1 kV 1.77 V 360 A, 409 A 2 uA 805 W, 959 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT-Module MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
Datenblatt
35Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 1 kV 1.77 V 360 A, 409 A 2 uA 805 W, 959 W - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.69 V 255 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SOT227
Datenblatt
23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 140 A 400 nA 480 W ISOTOP-4 - 55 C + 150 C Tube


Infineon Technologies IGBT-Module EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Modules 950 V 1.46 V 105 A 100 nA EconoPACK - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT-Module 11705 GEN-III 1100V Q2PACK
Datenblatt
33Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 3

IGBT Modules Single 650 V 1.56 V 113 A 600 nA 226 W Q2PACK + 175 C Tray
Microchip Technology IGBT-Module IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Single 1.2 kV 3.2 V 123 A 600 nA 570 W ISOTOP-4 - 55 C + 150 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Datenblatt
159Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.7 V 5 A 13.6 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 160 A booster IGBT module
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Quad 1.2 kV 1.55 V 20 A 100 nA 20 mW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 50 A 3-level IGBT module
Datenblatt
13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.45 V 50 A 100 nA 20 mW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 80 A booster IGBT module
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.4 V 20 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EasyPACK HD3 module with TRENCHSTOP H7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
Datenblatt
8erwartet ab 23.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Module 1.2 kV 1.22 V 195 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Datenblatt
11Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module 2.65 MW - 40 C + 185 C Tray
onsemi IGBT-Module GEN III Q2BOOST 1100V
Datenblatt
36erwartet ab 18.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 3

IGBT Modules Single 1.2 kV 2.2 V 80 A 800 nA 279 W Q2BOOST + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EasyPACK 1B module with Trench/Fieldstop IGBT H5 and CoolSiC Schottky diode and NTC
Datenblatt
24erwartet ab 17.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module 650 V 1.18 V 100 nA - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 2.15 V 3 A 12 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
onsemi IGBT-Module PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Datenblatt
96Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.77 V 50 A 800 nA 186 W Q0BOOST - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 80 A booster IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 20 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Microchip Technology IGBT-Module IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 60 A SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Single 1.2 kV 2.5 V 149 A 100 nA 625 W ISOTOP-4 - 55 C + 150 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 3 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A N2DIP-26 + 175 C Tube