Microchip IGBTs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung

Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 25 A TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 69 A 417 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 33 A TO-264
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 64 A 357 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 35 A TO-268
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 94 A 379 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 35 A TO-268 Tape & Reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 94 A 379 W - 55 C + 150 C Reel
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 96 A 543 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V Tube

Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 78 A 337 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 3.3 V - 30 V, 30 V 75 A 329 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 50 A TO-264
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 30 V, 30 V 94 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 60 A SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 100 A 520 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 75 A TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A TO-247 MAX
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 30 V, 30 V 100 A 1.042 kW - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 600 V 80 A TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-268
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SOT-227 Screw Mount Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 118 A 595 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 SiC Combi 1200 V 25 A TO-247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 30 V 69 A 417 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 30 V 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 900 V 30 V 78 A 337 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SOT-227-4 Screw Mount Single 900 V 30 V 87 A 284 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT FAST Fieldstop Low Frequency Combii 1200 V 50 A TO-247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 90
Mult.: 90

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 119 A 492 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBTs IGBT FAST Fieldstop SiC Combi 1200 V 50 A TO-247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 60
Mult.: 60

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 119 A 492 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC T-Max-3 Through Hole Single 900 V 30 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube