IGBTs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Verpackung/Gehäuse Montageart Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Maximale Gate-Emitter-Spannung Kollektorgleichstrom bei 25 C Pd - Verlustleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Infineon Technologies IGBTs 1700 V, 300 A dual IGBT module 1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount Dual 1.7 kV 1.95 V - 20 V, 20 V 300 A 20 mW - 40 C + 150 C Trench/Fieldstop IGBT4 - E4 Tray
Micro Commercial Components (MCC) IGBTs

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 650 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C MIW30N65FA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) IGBTs

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C MIW30N65FLA Bulk


Micro Commercial Components (MCC) IGBTs

- 20 V, 20 V MIW40N65RA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) IGBTs

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 200 W - 40 C + 175 C MIW15N120FA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) IGBTs

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 428 W - 40 C + 175 C MIW40N120FLA Bulk
ROHM Semiconductor IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications. 657Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V - 30 V, 30 V 48 A 111 W - 40 C + 175 C Bulk
Infineon Technologies IGBTs 1700 V, 1700 A dual IGBT module 24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBTs 1700 V, 2000 A dual IGBT module 20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Toshiba IGBTs X35 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A 403Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PN-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.5 V - 25 V, 25 V 40 A 230 W - 55 C + 175 C GT40QR21 Tray
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module 24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount Quad 1.2 kV 1.45 V - 20 V, 20 V 75 A 275 W - 40 C + 150 C High Speed IGBT H3 Tray
Toshiba IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A 80Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PN-3 Through Hole Single 1.8 kV 2.9 V - 25 V, 25 V 40 A 375 W - 55 C + 175 C GT40WR21 Tray
Vishay Semiconductors IGBTs ECONO - 4 PACK IGBT MODULE 3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 118 A 431 W - 40 C + 150 C Bulk
Toshiba IGBTs X35 Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=40 Vces=1350 74Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PN-3 Through Hole Single 1.35 kV 1.6 V - 25 V, 25 V 40 A 230 W - 55 C + 175 C GT40RR21 Tray
Toshiba IGBTs X35 Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ 49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PN-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 25 V, 25 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C GT50JR21 Tray
Toshiba IGBTs IGBT for Soft Switching Apps 51Auf Lager
75erwartet ab 16.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 600 V 1.55 V - 25 V, 25 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C GT50JR22 Tray
Diotec Semiconductor IGBTs IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247 449Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.3 V 30 A 350 W - 40 C + 175 C DIW0 Bulk
Infineon Technologies IGBTs 1700 V, 300 A dual IGBT module 1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount Dual 1.7 kV 1.95 V - 20 V, 20 V 400 A 1.5 kW - 40 C + 150 C Trenchstop IGBT4 - E4 Tray
Micro Commercial Components (MCC) IGBTs

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 40 C + 175 C MIW25N120FA Bulk
Diotec Semiconductor IGBTs IGBT, Fast, 1350V, 40A, TO-247 27Auf Lager
450erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.3 V 30 A 350 W - 40 C + 175 C DIW0 Bulk
ROHM Semiconductor IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications. 11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V - 30 V, 30 V 48 A 111 W - 40 C + 175 C Bulk
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 200 A chopper IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 8
Mult.: 8

Chopper IGBT3 - E3 Tray
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 200 A sixpack IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT4 - E4 Tray
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 300 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Trench/Fieldstop IGBT4 Tray
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 400 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 6
Mult.: 6

Trenchstop IGBT4 Tray