STB10N60M2

STMicroelectronics
511-STB10N60M2
STB10N60M2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 71

Lagerbestand:
71 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.07 CHF 2.07
CHF 1.33 CHF 13.30
CHF 0.912 CHF 91.20
CHF 0.726 CHF 363.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
CHF 0.622 CHF 622.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
7.5 A
600 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
13.5 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 13.2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Serie: STB10N60M2
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 32.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.8 ns
Gewicht pro Stück: 4 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
Weitere Informationen