CoolSiC MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’530Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’791Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’319Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’583Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’260Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’260Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 56.2 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’787Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
199Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 94 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
305Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 65 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
266Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 112 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 99 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
225Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 65 A 32.1 Ohms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
201Auf Lager
3’600erwartet ab 24.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
109Auf Lager
240erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 104 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
227Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 46 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
216Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 40 A 56.2 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 46 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
225Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 40 A 56.2 Ohms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
2’583Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si CoolSiC Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
465Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
899Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
1’899Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT CoolSiC Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Datenblatt
936Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Datenblatt
682Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Datenblatt
650Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si CoolSiC Reel, Cut Tape