onsemi SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
3'720Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
399Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
747Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
513Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
692Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
680Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
796Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
1'828Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT H-PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
Datenblatt
1'983Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
Datenblatt
1'970Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Datenblatt
246Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
573Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
700Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
432Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
890Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
732Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Datenblatt
800Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
411Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 750V/5MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
1'448Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
1'424Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
1'725Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
1'083Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
2'815Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
2'844Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET