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onsemi SiC-MOSFETs

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Ergebnisse: 217

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Hersteller = onsemi

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

Qualifikation

Handelsname

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL

UJ4C075060L8S
onsemi
1: CHF 8.68
3'950Auf Lager

Herst. Teilenr.
UJ4C075060L8S

Mouser-Teilenr.
772-UJ4C075060L8S

onsemi

SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL

Mehr erfahren

Datenblatt

3'950Auf Lager

Cut-Tape

CHF 8.68

CHF 6.03

CHF 5.02

Reel

CHF 4.69

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 2'000

SMD/SMT

MO-229-8

N-Channel

1 Channel

750 V

27.8 A

58 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

155 W

Enhancement

SiC FET

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L

NTBG014N120M3P
onsemi
1: CHF 22.39
967Auf Lager

Herst. Teilenr.
NTBG014N120M3P

Mouser-Teilenr.
863-NTBG014N120M3P

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L

Mehr erfahren

Datenblatt

967Auf Lager

Cut-Tape

CHF 22.39

CHF 18.18

CHF 17.77

Reel

CHF 17.22

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

104 A

20 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.63 V

337 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

NVBG022N120M3S
onsemi
1: CHF 20.67
818Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVBG022N120M3S

Mouser-Teilenr.
863-NVBG022N120M3S

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

Mehr erfahren

Datenblatt

818Auf Lager

Cut-Tape

CHF 20.67

CHF 16.47

CHF 16.38

CHF 15.37

Reel

CHF 15.37

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

NVBG070N120M3S
onsemi
1: CHF 12.47
1'569Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVBG070N120M3S

Mouser-Teilenr.
863-NVBG070N120M3S

onsemi

SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Mehr erfahren

Datenblatt

1'569Auf Lager

Cut-Tape

CHF 12.47

CHF 8.80

CHF 8.01

Reel

CHF 8.00

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

25 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3

NVH4L030N120M3S
onsemi
1: CHF 18.39
121Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVH4L030N120M3S

Mouser-Teilenr.
863-NVH4L030N120M3S

onsemi

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3

Mehr erfahren

Datenblatt

121Auf Lager

CHF 18.39

CHF 14.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

3.13 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

308 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

NVH4L095N065SC1
onsemi
1: CHF 10.28
440Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVH4L095N065SC1

Mouser-Teilenr.
863-NVH4L095N065SC1

onsemi

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Mehr erfahren

Datenblatt

440Auf Lager

CHF 10.28

CHF 6.17

CHF 5.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

105 mOhms

- 5 V, + 18 V

4.3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L

NVHL015N065SC1
onsemi
1: CHF 29.46
400Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVHL015N065SC1

Mouser-Teilenr.
863-NVHL015N065SC1

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L

Mehr erfahren

Datenblatt

400Auf Lager

CHF 29.46

CHF 22.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

163 A

12 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 175 C

643 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

NVHL025N065SC1
onsemi
1: CHF 21.88
448Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVHL025N065SC1

Mouser-Teilenr.
863-NVHL025N065SC1

onsemi

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Mehr erfahren

Datenblatt

448Auf Lager

CHF 21.88

CHF 16.47

CHF 16.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

19 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

NVHL060N065SC1
onsemi
1: CHF 12.61
445Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVHL060N065SC1

Mouser-Teilenr.
863-NVHL060N065SC1

onsemi

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Mehr erfahren

Datenblatt

445Auf Lager

CHF 12.61

CHF 8.90

CHF 7.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

44 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

NVHL070N120M3S
onsemi
1: CHF 12.98
439Auf Lager

Herst. Teilenr.
NVHL070N120M3S

Mouser-Teilenr.
863-NVHL070N120M3S

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

Mehr erfahren

Datenblatt

439Auf Lager

CHF 12.98

CHF 9.18

CHF 7.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C120400B7S
onsemi
1: CHF 6.99
1'956Auf Lager

Herst. Teilenr.
UF3C120400B7S

Mouser-Teilenr.
431-UF3C120400B7S

onsemi

SiC-MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

Mehr erfahren

Datenblatt

1'956Auf Lager

Cut-Tape

CHF 6.99

CHF 4.53

CHF 3.78

CHF 3.52

Reel

CHF 3.52

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

5.9 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

22.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

SiC-MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C170400B7S
onsemi
1: CHF 8.56
1'341Auf Lager

Herst. Teilenr.
UF3C170400B7S

Mouser-Teilenr.
431-UF3C170400B7S

onsemi

SiC-MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

Mehr erfahren

Datenblatt

1'341Auf Lager

Cut-Tape

CHF 8.56

CHF 5.94

CHF 4.95

CHF 4.77

Reel

CHF 4.62

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23.1 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3

UF4C120070K3S
onsemi
1: CHF 10.65
674Auf Lager

Herst. Teilenr.
UF4C120070K3S

Mouser-Teilenr.
431-UF4C120070K3S

onsemi

SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3

Mehr erfahren

Datenblatt

674Auf Lager

CHF 10.65

CHF 6.45

CHF 5.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27.5 A

91 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

SiC FET

SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4

UF4C120070K4S
onsemi
1: CHF 10.94
416Auf Lager

Herst. Teilenr.
UF4C120070K4S

Mouser-Teilenr.
431-UF4C120070K4S

onsemi

SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4

Mehr erfahren

Datenblatt

416Auf Lager

CHF 10.94

CHF 6.64

CHF 5.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27.5 A

91 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

SiC FET

SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263-7

UJ4C075060B7S
onsemi
1: CHF 5.96
904Auf Lager

Herst. Teilenr.
UJ4C075060B7S

Mouser-Teilenr.
431-UJ4C075060B7S

onsemi

SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263-7

Mehr erfahren

Datenblatt

904Auf Lager

Cut-Tape

CHF 5.96

CHF 4.04

CHF 4.03

Reel

CHF 4.03

CHF 3.40

Kostenvoranschlag

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

25.8 A

74 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

SiC FET

SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7

UJ4SC075011B7S
onsemi
1: CHF 22.40
347Auf Lager

Herst. Teilenr.
UJ4SC075011B7S

Mouser-Teilenr.
431-UJ4SC075011B7S

onsemi

SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7

Mehr erfahren

Datenblatt

347Auf Lager

Cut-Tape

CHF 22.40

CHF 17.48

CHF 17.46

CHF 16.91

Reel

CHF 16.49

Kostenvoranschlag

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7L

N-Channel

1 Channel

750 V

104 A

11 mOhms

- 20 V, + 20 V

5.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

SiC FET

SiC-MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TOLL

UJ4C075023L8S
onsemi
1: CHF 14.54
1'271Auf Lager

Herst. Teilenr.
UJ4C075023L8S

Mouser-Teilenr.
772-UJ4C075023L8S

onsemi

SiC-MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TOLL

Mehr erfahren

Datenblatt

1'271Auf Lager

Cut-Tape

CHF 14.54

CHF 10.34

CHF 9.75

Reel

CHF 9.11

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 2'000

SMD/SMT

MO-229-8

N-Channel

1 Channel

750 V

64 A

23 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

SiC FET

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

NTBG028N170M1
onsemi
1: CHF 27.89
155Auf Lager

Herst. Teilenr.
NTBG028N170M1

Mouser-Teilenr.
863-NTBG028N170M1

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

Mehr erfahren

Datenblatt

155Auf Lager

Cut-Tape

CHF 27.89

CHF 24.46

CHF 24.44

CHF 24.13

Reel

CHF 23.15

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

71 A

40 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

222 nC

- 55 C

+ 175 C

428 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

NTBG030N120M3S
onsemi
1: CHF 9.01
827Auf Lager

Herst. Teilenr.
NTBG030N120M3S

Mouser-Teilenr.
863-NTBG030N120M3S

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

Mehr erfahren

Datenblatt

827Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.01

CHF 6.51

CHF 5.86

CHF 5.64

Reel

CHF 5.47

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1.2 kV

30 Ohms

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG060N065SC1
onsemi
1: CHF 9.29
334Auf Lager

Herst. Teilenr.
NTBG060N065SC1

Mouser-Teilenr.
863-NTBG060N065SC1

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

Mehr erfahren

Datenblatt

334Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.29

CHF 6.45

CHF 5.46

CHF 5.11

Reel

CHF 5.11

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

NTH4L014N120M3P
onsemi
1: CHF 23.35
81Auf Lager

Herst. Teilenr.
NTH4L014N120M3P

Mouser-Teilenr.
863-NTH4L014N120M3P

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

Mehr erfahren

Datenblatt

81Auf Lager

CHF 23.35

CHF 17.26

CHF 17.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

127 A

20 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.63 V

329 nC

- 55 C

+ 175 C

686 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

NTH4L025N065SC1
onsemi
1: CHF 15.31
158Auf Lager

Herst. Teilenr.
NTH4L025N065SC1

Mouser-Teilenr.
863-NTH4L025N065SC1

onsemi

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Mehr erfahren

Datenblatt

158Auf Lager

CHF 15.31

CHF 11.41

CHF 11.20

CHF 10.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

NTH4L028N170M1
onsemi
1: CHF 29.96
128Auf Lager
450erwartet ab 20.02.2026

Herst. Teilenr.
NTH4L028N170M1

Mouser-Teilenr.
863-NTH4L028N170M1

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

Mehr erfahren

Datenblatt

128Auf Lager

450erwartet ab 20.02.2026

CHF 29.96

CHF 22.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

81 A

40 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

EliteSiC

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

NTH4L030N120M3S
onsemi
1: CHF 9.55
570Auf Lager

Herst. Teilenr.
NTH4L030N120M3S

Mouser-Teilenr.
863-NTH4L030N120M3S

onsemi

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

Mehr erfahren

Datenblatt

570Auf Lager

CHF 9.55

CHF 6.26

CHF 6.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1.2 kV

30 Ohms

EliteSiC

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

NTH4L040N120M3S
onsemi
1: CHF 12.24
350Auf Lager
900erwartet ab 17.02.2026

Herst. Teilenr.
NTH4L040N120M3S

Mouser-Teilenr.
863-NTH4L040N120M3S

onsemi

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

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Datenblatt

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900erwartet ab 17.02.2026

CHF 12.24

CHF 7.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

51 A

52 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support

5.9 A
7.6 A
17 A
17.3 A
18.4 A
19.5 A
25 A
25.7 A
25.8 A
27 A
27.5 A
27.8 A
28 A
28.8 A
29 A
30 A
31 A
33 A
34 A
34.5 A

5 mOhms
5.9 mOhms
8 mOhms
9 mOhms
10.7 mOhms
11 mOhms
12 mOhms
16.8 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
19 mOhms
20 mOhms
21 mOhms
23 mOhms
23.4 mOhms
23.5 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
28.5 mOhms
29 mOhms

20 nC
22.5 nC
23 nC
23.1 nC
25.7 nC
27.5 nC
30 nC
33.8 nC
34 nC
37.8 nC
43 nC
46 nC
47.9 nC
49 nC
50 nC
51 nC
55 nC
56 nC
57 nC
58 nC

64 W
65.2 W
74 W
88 W
100 W
110 W
111 W
115 W
119 W
121 W
128 W
129 W
136 W
136.4 W
139 W
148 W
155 W
160 W
163 W
166.7 W