CoolSiC™ 400-V-G2-Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs sind hervorragend geeignet für hartschaltende und resonante Schalttopologien. Die Infineon 400 V CoolSiC MOSFETs sind speziell für den Einsatz in der AC/DC-Stufe von KI-Server-Netzteilen (PSUs) ausgelegt und eignen sich auch hervorragend für Applikationen wie Solar- und Energiespeichersysteme. CoolSiC-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist.

Ergebnisse: 10
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
681Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 36.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1'276Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 19.1 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
736Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 400 V 133 A 14.4 mOhms 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
943Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 21.7 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V - 55 C + 175 C 341 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
968Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 52.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
895Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 64.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
996Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 16.3 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1'444Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 32.1 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1'950Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 52.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1'850Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 64.5 mOhms - 10 V, + 25 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement