CoolSiC™ 750-V-G1-MOSFETs

Die CoolSiC ™ 750-V-G1-MOSFETs von Infineon Technologies zeichnen sich durch ihre Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit aus.  Die CoolSiC 750-V-G1 von Infineon Technologies bietet eine flexible Gate-Ansteuerung für ein vereinfachtes, kostengünstiges Systemdesign. Die MOSFETs ermöglichen einen optimierten Wirkungsgrad und eine optimierte Leistungsdichte.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1’063Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 22 mOhms - 20 V, + 20 V 5.6 V 163 nC - 55 C + 175 C 384 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
730Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 17 A 182 mOhms - 20 V, + 20 V 5.6 V 12 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
86Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 78 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
188Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 23 A 117 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
186Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 16 A 182 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 13 nC - 55 C + 175 C 86 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 52 mOhms - 20 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement