NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.