SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung V_GS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Verpackung/Gehäuse

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Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

Handelsname

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Teile-Nr.

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 60.74
977Auf Lager
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IMCQ120R004M2HXUMA1

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726-IMCQ120R004M2HXU

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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977Auf Lager

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Cut-Tape

CHF 60.74

CHF 50.27

CHF 42.05

Reel

CHF 42.05

MouseReel verfügbar

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Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 15.76
188Auf Lager
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IMY120R018CM2HXKSA1

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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188Auf Lager

CHF 15.76

CHF 12.00

CHF 9.99

CHF 8.62

CHF 7.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 11.30
215Auf Lager
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IMY120R036AM2HXKSA1

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215Auf Lager

CHF 11.30

CHF 8.60

CHF 7.16

CHF 6.39

CHF 5.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 10.25
182Auf Lager
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IMY120R036CM2HXKSA1

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726-IMY120R036CM2HXK

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182Auf Lager

CHF 10.25

CHF 7.63

CHF 6.37

CHF 5.48

CHF 4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 37.63
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960Auf Bestellung
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IMZC120R007M2HXKSA1

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CHF 26.59

CHF 23.31

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Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 37.24
588Auf Lager
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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Cut-Tape

CHF 37.24

CHF 29.45

CHF 25.24

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CHF 25.24

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: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 16.29
1’558Auf Lager
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IMZC120R022M2HXKSA1

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1’558Auf Lager

CHF 16.29

CHF 11.18

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Mult.: 1
Max.: 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 12.32
1’832Auf Lager
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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Cut-Tape

CHF 12.32

CHF 8.69

CHF 7.03

CHF 6.54

Reel

CHF 6.19

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.46
772Auf Lager
750erwartet ab 31.07.2026
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772Auf Lager

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Cut-Tape

CHF 9.46

CHF 6.45

CHF 5.52

CHF 4.99

Reel

CHF 4.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.79
335Auf Lager
750erwartet ab 08.10.2026
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IMCQ120R053M2HXTMA1

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Cut-Tape

CHF 7.79

CHF 5.22

CHF 3.92

CHF 3.63

Reel

CHF 3.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.26
856Auf Lager
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IMCQ120R078M2HXTMA1

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726-IMCQ120R078M2HXT

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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856Auf Lager

Cut-Tape

CHF 7.26

CHF 4.77

CHF 3.77

CHF 3.37

Reel

CHF 3.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 19.93
692Auf Lager
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R026M2HHX

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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692Auf Lager

Cut-Tape

CHF 19.93

CHF 14.20

CHF 12.63

CHF 11.94

Reel

CHF 11.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 16.02
660Auf Lager
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IMSQ120R040M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R040M2HHX

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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660Auf Lager

Cut-Tape

CHF 16.02

CHF 11.43

CHF 9.61

CHF 8.86

Reel

CHF 8.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 23.24
115Auf Lager
240erwartet ab 03.09.2026
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IMZA120R012M2HXKSA1

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726-IMZA120R012M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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115Auf Lager

240erwartet ab 03.09.2026

CHF 23.24

CHF 15.80

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 17.47
147Auf Lager
240erwartet ab 17.09.2026
Neues Produkt

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IMZA120R017M2HXKSA1

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726-IMZA120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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147Auf Lager

240erwartet ab 17.09.2026

CHF 17.47

CHF 11.64

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 15.27
341Auf Lager
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IMZA120R022M2HXKSA1

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726-IMZA120R022M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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341Auf Lager

CHF 15.27

CHF 9.85

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 10.25
352Auf Lager
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IMZA120R040M2HXKSA1

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726-IMZA120R040M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Datenblatt

352Auf Lager

CHF 10.25

CHF 6.60

CHF 5.79

CHF 4.91

CHF 4.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 23.92
496Auf Lager
240erwartet ab 27.05.2027
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IMZC120R012M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R012M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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496Auf Lager

240erwartet ab 27.05.2027

CHF 23.92

CHF 15.80

CHF 13.87

CHF 13.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 17.80
609Auf Lager
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IMZC120R017M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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609Auf Lager

CHF 17.80

CHF 12.94

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 13.54
451Auf Lager
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
IMZC120R026M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R026M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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Datenblatt

451Auf Lager

CHF 13.54

CHF 8.77

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 11.38
1’001Auf Lager
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R034M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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Datenblatt

1’001Auf Lager

CHF 11.38

CHF 6.97

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 8.83
739Auf Lager
Neues Produkt

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IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R053M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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Datenblatt

739Auf Lager

CHF 8.83

CHF 5.55

CHF 4.69

CHF 4.17

CHF 3.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 30.93
1’043Auf Lager
1’000erwartet ab 03.09.2026

Herst. Teilenr.
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1’043Auf Lager

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CHF 30.93

CHF 23.94

Reel

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Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

: 1’000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
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IMBG120R017M2HXTMA1

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cut-Tape

CHF 16.67

CHF 11.91

CHF 9.82

CHF 9.65

Reel

CHF 9.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
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150Auf Lager
750Auf Bestellung
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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Cut-Tape

CHF 35.07

CHF 27.40

CHF 24.87

CHF 22.93

Reel

CHF 22.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

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7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W