SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF-Serie Leistungs-MOSFETS

Die Leistungs-MOSFETS der EF-Serie SiHx28N60EF / SiHx33N60EF von Vishay sind 600V n-Kanal-Leistungs-MOSFETS mit einer schnellen Body-Diode, die für ZVS/Soft-Switching-PWM-Topologien wie phasenverschobene Brücken und LLC-Konverter-Halbbrücken entworfen wurden. Die Leistungs-MOSFETs der EF-Serie SiHx28N60EF / SiHx33N60EF erhöhen die Zuverlässigkeit in diesen Anwendungen durch die Bereitstellung einer 10x niedrigeren Qrr als Standard-MOSFETs. Auf diese Weise sind die Geräte in der Lage, die Fähigkeit zur Blockierung der vollen Durchlassspannung schneller wieder zu erlangen, was dabei hilft, Ausfall durch Durchzündungsfehler sowie thermische Überlastung zu vermeiden. Darüber hinaus führt das reduzierte Qrr zu niedrigeren Sperrerholzeitverlusten im Vergleich zu Standard-MOSFETs. Der sehr geringe On-Widerstand und die sehr geringe Gatter-Ladung der Geräte führen zu äußerst geringen Leitungs- und Schaltverlusten, was in einer Energieersparnis in Hochstrom, Hochleistungs- und Schaltmodus-Anwendungen resultiert. Die Serie basiert auf der Superjunction-Technologie der E-Serie , ist Avalanche-Energie-bewertet (UIS) und in TO-220-, TO-263-, TO-220F- und TO-247AC-Gehäusen erhältlich.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
7’428Auf Lager
Min.: 1
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
2’551Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
Datenblatt
1’710Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Datenblatt
1’044Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
Datenblatt
1’695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
461Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’516Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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475Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Datenblatt
2’893Auf Lager
MouseReel verfügbar
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: 3’000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
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409Auf Lager
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Mult.: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Datenblatt
2’996Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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835Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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314Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Datenblatt
2’927Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 600V
Datenblatt
Produkt-Kommentare
7’616Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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440Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
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1’387Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’620Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
332Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
29Auf Lager
1’000erwartet ab 03.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
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953erwartet ab 05.10.2026
Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Datenblatt
975Auf Bestellung
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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Min.: 1’000
Mult.: 1’000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube