GaNEXUS™ GaN-FETs

Die GaNEXUS™ Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren (GaN FETs) von onsemi nutzen die Wide-Bandgap-Materialeigenschaften von GaN, um schnelles Schalten, niedrige Gate- und Ausgangsladung und einen verbesserten Wirkungsgrad im Vergleich zu Silizium-Leistungstransistoren zu erzielen. Diese Eigenschaften ermöglichen höhere Betriebsfrequenzen, eine erhöhte Leistungsdichte und eine reduzierte Magnetik in Leistungsumwandlungs-Applikationen im Nieder-, Mittel-, Hoch- und Höchstspannungsbereich. Die diskreten Enhancement-Mode-GaN-Transistoren (High-Electron-Mobility Transistors, HEMTs) bieten einen Spannungsbereich von 40 V bis 650 V, einschließlich 650-V-GaNEXUS-Smart-GaN-FETs mit integrierten Schutzfunktionen zur Verbesserung der Zuverlässigkeit und Vereinfachung der Systemintegration. Ideale Applikationen für die GaNEXUS-Produktfamilie von onsemi sind Industrieautomatisierung, Robotik, KI-Rechenzentren, Fahrzeugelektrifizierung und Energieinfrastruktur.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Maximale Betriebsfrequenz
Technologie
onsemi GaN FETs 650V 35MR LGAN TOLL
Datenblatt
2’400Auf Lager
Cut-Tape
CHF 12.77
CHF 7.57
Reel
CHF 6.44
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’200
SMD/SMT PDSO-F9 HEMT 1 Channel 650 V 64 A 27 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 650V 50MR LGAN TOLL
Datenblatt
2’400Auf Lager
Cut-Tape
CHF 9.17
CHF 5.13
CHF 4.92
Reel
CHF 4.18
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’200
SMD/SMT PDSO-F9 HEMT 1 Channel 650 V 40 A 39 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
Datenblatt
1’932Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.62
CHF 1.70
CHF 1.18
CHF 0.983
CHF 0.91
Reel
CHF 0.854
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8
Datenblatt
1’954Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.85
CHF 1.85
CHF 1.29
CHF 1.09
CHF 1.01
Reel
CHF 0.945
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8
Datenblatt
1’970Auf Lager
Cut-Tape
CHF 2.59
CHF 1.68
CHF 1.16
CHF 0.964
CHF 0.894
Reel
CHF 0.845
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 130 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.65 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8
Datenblatt
2’500Auf Lager
Cut-Tape
CHF 1.41
CHF 0.945
CHF 0.79
CHF 0.764
Reel
CHF 0.738
CHF 0.713
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 100V 2.5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL
Datenblatt
1’750Auf Lager
Cut-Tape
CHF 5.01
CHF 3.29
CHF 2.41
CHF 2.15
CHF 1.90
Reel
CHF 1.90
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 183 A 2.7 mOhms - 4 V to 6 V 2.1 V 7.3 nC - 40 C + 150 C 250 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL
Datenblatt
1’741Auf Lager
Cut-Tape
CHF 3.73
CHF 2.44
CHF 1.83
CHF 1.53
CHF 1.42
Reel
CHF 1.33
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 3.8 mOhms - 4 V to 6 V 5.2 nC - 40 C + 150 C 208 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
Datenblatt
1’983Auf Lager
Cut-Tape
CHF 1.17
CHF 0.771
CHF 0.642
CHF 0.618
CHF 0.616
Reel
CHF 0.576
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PDSO-E3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 650V 35MR LGAN TOLT
Datenblatt
2’400erwartet ab 11.12.2026
Cut-Tape
CHF 12.21
CHF 7.20
Reel
CHF 6.76
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’200
SMD/SMT PDSO-G16 HEMT 1 Channel 650 V 64 A 27 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 462 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLL
Datenblatt
1’200erwartet ab 16.11.2026
Cut-Tape
CHF 14.26
CHF 10.60
CHF 9.86
CHF 9.20
Reel
CHF 9.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’400
SMD/SMT PDSO-F9 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 25 mOhms 10 V to 24 V + 150 C Enhancement GaNEXUS 2 MHz GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLT
Datenblatt
1’200erwartet ab 16.11.2026
Cut-Tape
CHF 14.26
CHF 10.60
CHF 9.86
CHF 9.20
Reel
CHF 9.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’400
SMD/SMT PDSO-G16 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 25 mOhms 10 V to 24 V + 150 C Enhancement GaNEXUS 2 MHz GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 40V, 0.5m, 5x6 Dual Cool
Datenblatt
1’250erwartet ab 17.11.2026
Cut-Tape
CHF 5.44
CHF 2.89
CHF 2.88
Reel
CHF 2.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 40 V 819 A 0.7 mOhms - 4 V to 6 V 1.2 V 52 nC - 40 C + 150 C 962 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.1m, 5x6 Dual Cool
Datenblatt
1’250erwartet ab 17.11.2026
Cut-Tape
CHF 6.42
CHF 3.47
CHF 3.18
CHF 3.08
CHF 2.88
Reel
CHF 2.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 100 V 474 A 1.5 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 19 nC - 55 C + 150 C 658 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 150V, 1.6m, 5x6 Dual Cool
Datenblatt
1’250erwartet ab 17.11.2026
Cut-Tape
CHF 8.26
CHF 4.59
CHF 4.02
Reel
CHF 4.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 150 V 2.2 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 34 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.9m, 5x6 Dual Cool
Datenblatt
1’250erwartet ab 17.11.2026
Cut-Tape
CHF 5.44
CHF 2.89
CHF 2.64
CHF 2.46
CHF 2.30
Reel
CHF 2.30
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 100 V 275 A 2.5 mOhms - 4 V to 6 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 200V, 2.6m, 5x6 Dual Cool
Datenblatt
1’250erwartet ab 17.11.2026
Cut-Tape
CHF 8.26
CHF 4.59
CHF 4.02
Reel
CHF 4.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.6 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 30 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 0.8m, 5x6 Dual Cool
Datenblatt
1’250erwartet ab 11.11.2027
Cut-Tape
CHF 7.37
CHF 5.04
CHF 4.16
CHF 3.70
CHF 3.45
Reel
CHF 3.45
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 100 V 1 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 39 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLL
Datenblatt
1’200erwartet ab 11.12.2026
Cut-Tape
CHF 9.51
CHF 6.87
CHF 5.73
CHF 5.10
Reel
CHF 4.34
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’200
SMD/SMT PDSO-F9 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 55 mOhms 22 V + 150 C 271 W Enhancement GaNEXUS 2 MHz GaN
onsemi GaN FETs GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLT
Datenblatt
1’200erwartet ab 11.01.2027
Cut-Tape
CHF 8.77
CHF 6.36
CHF 5.47
CHF 5.11
Reel
CHF 4.77
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’200
SMD/SMT PDSO-G16 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 55 mOhms 22 V + 150 C 338 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FETs 650V 50MR LGAN TOLT
Datenblatt
2’400erwartet ab 08.12.2026
Cut-Tape
CHF 8.79
CHF 5.73
CHF 5.01
CHF 4.67
Reel
CHF 4.31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’200
SMD/SMT PDSO-G16 HEMT 1 Channel 650 V 40 A 39 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement GaNEXUS GaN